产品说明
半导体分立器件综合测试仪，全部智能化 ，可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.可控硅.三端电源各种直流参数,带接口.
标配附件：
1.同轴引线的二极管测试夹
2.TO-220.202.237.126.92的测试夹
3.TO-5.18.39.205MA的测试夹
4.TO-3.66.204MA的测试夹
可选附件：1200伏高压适配器
主要特点
本仪器是美国IST公司最新研制的产品(IST880的升级换代产品)，采用Z80芯片，微机控制，液晶显示其测试条件及测量结果，可用于晶体三极管，二极管，齐钠二极管，J型场效应管，可控硅管，三端双向可控硅管和三端稳压器进行直流参数的测试，并可自动进行合格/不合格判断，对器件进行分选。本仪器并配有RS-232串联接口和IEE-488接口，可配接电脑数据记录仪仪打印机，打印出测试条件及结果。并可以对各类器件的预置测试条件进行存储。关机后仍可保存在机内，以备下一次的使用。
性能指标
（一）
- 三极管 Icbo Iceo Ices Iebo Icev
电流 电压 分辨率 误差
0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%
0 200μA 0 600V 1 nA ±1.5%
0 200.0μA 0 600v 1.1μA ±1%
0 20.00mA 0 500V 10μA ±1%
- 三级管 BVcbo BVebo BVcer BVces BVcev
电压 电流 分辨率 误差
0 600V 0 30mA 3V ±1%
0 30V 0 200mA 0.1V ±1%
- 三极管 Vve(sat)Vbe(sat)
电压 电流 分辨率 误差
0 5V 0 5A 2mV ±2%
0 2V 0 1A 1mV ±2%
- 三极管 hFE
量程 分辨率 误差
hFE 0 5000 1 ±2%
Vce 0 20V
Ic 0 5A
Ib 0 1A
（二）
- 二极管Ir
电流 电压 分辨率 误差
0 200.0 nA 0 600V 0.1nA ±2%
0 200.0μA 0 600V 1 nA ±1.5%
0 2.00μA 0 600V 0.1μA ±1%
0 20.00mA 0 500V 10μA ±1%
- 二极管BVr
电压 电流 分辨率 误差
0 30V 0 200mA 0.1V ±2%
0 600V 0 20mA 3V ±2%
- 二极管Vf
电压 电流 分辨率 误差
0 5V 0 5A 2mV ±2%
（三）
- 稳压二极管BVz
电压 电流 分辨率 误差
0 300V 0 30mA 1V ±1%
0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%
0 40V 0 1mA 0.1V ±1%
- 稳压二极管Izr
电流 电压 分辨率 误差
0 500mA 0 30V 2mA ±1%
0 100mA 0 60V 0.4mA ±1%
0 20mA 0 250V 80nA ±2.5%
- 稳压二极管Vzr
电流 电压 分辨率 误差
0 300V 0 30mA 1V ±1%
0 60V 0 200mA 0.3V ±1.5%
0 40V 0 1A 0.1V ±1%
- 稳压二极管Vzf
电压 电流 分辨率 误差
0 5V 0 5A 2mv ±1%
（四）
- J/M型场效应晶体管Idss
电流 电压 分辨率 误差
0 0.2A 0 30V 10μA ±2%
0 30mA 0 300V 1μA ±2%
- J型场效应晶体管Igss
电流 电压 分辨率 误差
0 20.00mA 0 30V 10μA ±2%
0 200.0μA 0 30V 0.1μA ±1.5%
0 2.00μA 0 30V 1nA ±1.5%
0 200.0nA 0 30V 0.1nA ±1.5%
- J型场效应晶体管BVgss
电压 电流 分辨率 误差
0 300V 0 30mA 1v ±2%
0 30V 0 200mA 0.2v ±1.5%
- J型场效应晶体管gm
量程范围 分辨率 误差
0.5 200mMHO 0.04mMHO ±4%
0 100.00μA 0 40V 50nA ±3%
（五）
- 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt
电压 电流 分辨率 误差
0 40V 0 20mA(可控硅整流器件) 0.2V ±1%
0 1A (双向可控硅开关器件)0.2V ±1%
- 可控硅整流器件及双向可控硅开关器件Vgt Igt
电流 电压 分辨率 误差
0 100.00mA 0 40V 50μA ±1.5%
0 10.00mA 0 40V 5μA ±1.5%
0 1.00mA 0 40V 0.5μA ±2%
（六）
- 三端稳压电源集成块
量程范围 分辨率 误差
Vo 0 ±28V 0.1V ±2%
Iib 0 ±20mA 1μA ±2%